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MJE171G
Transistor RF - Bipolar, PNP, 60 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, TO-225
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE171G
No. Parte Newark26K4454
Rango de ProductoSerie MJxxxx
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteMJE171G
No. Parte Newark26K4454
Rango de ProductoSerie MJxxxx
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Frecuencia de Transición50
Disipación de Potencia1.5
Disipación de Potencia Pd1.5W
Corriente de Colector DC3A
Corriente del Colector Continua3
Diseño de TransistorTO-225
Ganancia de Corriente DC hFE50hFE
Encapsulado de Transistor RFTO-225
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.50
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoSerie MJxxxx
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Disipación de Potencia
1.5
Corriente de Colector DC
3A
Diseño de Transistor
TO-225
Encapsulado de Transistor RF
TO-225
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Frecuencia de Transición
50
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Corriente del Colector Continua
3
Ganancia de Corriente DC hFE
50hFE
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
Serie MJxxxx
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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