MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A

El MT29F64G08AFAAAWP-ITZ:A es un dispositivo de memoria flash NAND que incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (DQx) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware (WP#) y supervisan el estado del dispositivo (R/B#). Este dispositivo de memoria flash NAND incluye además una interfaz de datos síncrona para operaciones de entrada/salida de alto rendimiento. Cuando la interfaz síncrona está activa, WE# se convierte en CLK y RE# en W/R#. La transferencia de datos incluye una señal de sincronización de datos bidireccional (DQS). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal habilitada por chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND.

• Densidad de 64Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, celda de bits de 1 bit, 2 chips, 2 unidades de CE y R/B, E/S común
• Rango de voltaje de funcionamiento desde VCC: 3.3V (2.7–3.6V), VCCQ: 3.3V (2.7–3.6V)
• Primer conjunto de características del dispositivo, interfaz solo asíncrona, proceso de poliimida aplicado, grado de velocidad de 200MT/s
• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC) compatible con la interfaz de memoria flash NAND abierta (ONFI) 2.2
• Tamaño de página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes), tamaño de bloque: 128 páginas (1024K + 56K bytes)
• Tamaño del avión: 2 planos x 2048 bloques por plano
• Hasta el modo de temporización síncrona 5, frecuencia de reloj: 10ns (DDR), rendimiento de lectura/escritura por pin: 200MT/s
• Hasta el modo de temporización asíncrona 5, tRC/tWC: 20ns (mínimo), rendimiento de lectura/escritura por pin: 50MT/s
• Leer página: 35µs (máx.), página de programa: 350µs (típico), bloque de borrado: 1.5ms (típico)
• Paquete TSOP de 48 pines, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C