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2N7002DW-7-F
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 115 mA, 13.5 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002DW-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6727
Re-reeling (Rollos a medida)25R5680RL
Cinta adhesiva25R5680
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.317 | $1.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.317 |
| 50+ | $0.200 |
| 100+ | $0.133 |
| 250+ | $0.117 |
| 500+ | $0.101 |
| 1000+ | $0.092 |
| 2500+ | $0.080 |
| 5000+ | $0.067 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.087 |
| 9000+ | $0.077 |
| 15000+ | $0.076 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte Fabricante2N7002DW-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6727
Re-reeling (Rollos a medida)25R5680RL
Cinta adhesiva25R5680
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N230mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente7.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N310mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002DW-7-F es un MOSFET de modo de mejora de doble canal N que ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado ON RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Es ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Rendimiento de cambio rápido
- Fuga baja de entrada/salida
- Paquete ultra pequeño de montaje en superficie
- Libre de halógenos
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
230mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
7.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
310mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7002DW-7-F
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto