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BSN20-7
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 500 mA, 1.8 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSN20-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3633
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3632RL
Cinta adhesiva07AH3632
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.364 | $0.36 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.36 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.364 |
| 50+ | $0.229 |
| 100+ | $0.151 |
| 250+ | $0.134 |
| 500+ | $0.117 |
| 1000+ | $0.106 |
| 2500+ | $0.104 |
| 5000+ | $0.102 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.069 |
| 6000+ | $0.066 |
| 12000+ | $0.062 |
| 18000+ | $0.058 |
| 30000+ | $0.052 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSN20-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3633
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3632RL
Cinta adhesiva07AH3632
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id500mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.8ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia600mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
BSN20-7 is a N-channel enhancement mode field MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the onstate resistance (RDS(ON)) and maintains superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include backlighting, DC-DC converters, power management functions.
- Low on-resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 50V at TA=+25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA=+25°C
- Continuous drain current is 500mA at TA=+25°C, steady state, TSP=+25°C
- Pulsed drain current at TSP=+25°C, TA=+25°C is 1.2A
- Power dissipation at TA=+25°C is 600mW
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm typ at VGS=10V, ID=0.22A, TA=+25°C
- SOT23 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.8ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
500mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
600mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSN20-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto