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BSP75GTA
MOSFET POT, CANAL N, 60V, 1.6A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSP75GTACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13M4852RL
Cinta adhesiva13M4852
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.300 | $2.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.300 |
| 50+ | $1.460 |
| 100+ | $0.993 |
| 250+ | $0.891 |
| 500+ | $0.790 |
| 1000+ | $0.774 |
| 2500+ | $0.758 |
| 5000+ | $0.742 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSP75GTACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13M4852RL
Cinta adhesiva13M4852
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.55
Resistencia de Activación Rds(on)0.55ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd2.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia2.5
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El BSP75G es un MOSFET de lado bajo autoprotegido de canal N IntelliFET™ que presenta sobrecalentamiento monolítico, sobrecorriente, sobrevoltaje (pinza activa) y MOSFET de potencia de nivel lógico protegido contra ESD diseñado como un interruptor de propósito general.
- Protección contra cortocircuitos con reinicio automático
- Protección contra sobretensión (pinza activa)
- Apagado térmico con reinicio automático
- Protección contra sobrecorriente
- Protección de entrada (ESD)
- Alta calificación de corriente continua
- Protección de descarga de carga (protege activamente la carga)
- Entrada de nivel lógico
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.55
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.55ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
2.5W
Disipación de Potencia
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSP75GTA
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto