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BSS138DW-7-F
MOSFET Dual, Canal N, 50 V, 200 mA, 3.5 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138DW-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4536
Re-reeling (Rollos a medida)25R4429RL
Cinta adhesiva25R4429
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.578 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.578 |
| 50+ | $0.265 |
| 100+ | $0.234 |
| 250+ | $0.230 |
| 500+ | $0.225 |
| 1000+ | $0.220 |
| 2500+ | $0.215 |
| 5000+ | $0.211 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.127 |
| 6000+ | $0.120 |
| 9000+ | $0.111 |
| 15000+ | $0.109 |
| 30000+ | $0.107 |
| 75000+ | $0.105 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteBSS138DW-7-FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4536
Re-reeling (Rollos a medida)25R4429RL
Cinta adhesiva25R4429
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N50V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N200mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente3.5ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N200mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El BSS138DW-7-F es un MOSFET de modo de mejora de doble canal N que ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado ON RDS (ON) y mantener un rendimiento de conmutación superior. Es ideal para aplicaciones de interruptores de carga.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Rendimiento de cambio rápido
- Libre de halógenos
- Clasificación de Inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
50V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
200mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
3.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
200mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS138DW-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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