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DMC2057UVT-7
MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 20V, 4A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC2057UVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8363RL
Cinta adhesiva28AK8363
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.775 | $3.88 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.88 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.775 |
| 10+ | $0.449 |
| 25+ | $0.401 |
| 50+ | $0.354 |
| 100+ | $0.306 |
| 250+ | $0.261 |
| 500+ | $0.217 |
| 1000+ | $0.173 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC2057UVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8363RL
Cinta adhesiva28AK8363
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.042ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.07ohm
Diseño de TransistorTSOT-26
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.1W
Disipación de Potencia de Canal P1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.07ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.1W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.042ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Disipación de Potencia de Canal N
1.1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto