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DMC3400SDW-13
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark07AH3730
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark07AH3730
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N650
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P650
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.9
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N310
Disipación de Potencia de Canal P310
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
650
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.9
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
310
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
650
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.2
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
310
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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