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DMC3730UFL3-7
MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 30V, 1,1A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3730UFL3-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)32AK9125RL
Cinta adhesiva32AK9125
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.577 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.577 |
| 50+ | $0.369 |
| 100+ | $0.247 |
| 250+ | $0.221 |
| 500+ | $0.195 |
| 1000+ | $0.177 |
| 2500+ | $0.174 |
| 5000+ | $0.170 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMC3730UFL3-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)32AK9125RL
Cinta adhesiva32AK9125
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N1.1A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P1.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.46ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorX2-DFN1310
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N390mW
Disipación de Potencia de Canal P390mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
1.1A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
390mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
1.1A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.46ohm
Diseño de Transistor
X2-DFN1310
Disipación de Potencia de Canal N
390mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto