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DMHC4035LSDQ-13
MOSFET, CANAL N/P, 40V, 4.5A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMHC4035LSDQ-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8435RL
Cinta adhesiva28AK8435
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.230 | $2.23 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.23 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.230 |
| 50+ | $1.370 |
| 100+ | $1.040 |
| 250+ | $0.991 |
| 500+ | $0.940 |
| 1000+ | $0.882 |
| 2500+ | $0.763 |
| 5000+ | $0.748 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMHC4035LSDQ-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8435RL
Cinta adhesiva28AK8435
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary Dual N and Dual P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.045ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.065ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary Dual N and Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.065ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.045ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto