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DMHT10H032LFJ-13
MOSFET Dual, Canal N, 100 V, 6 A, 0.033 ohm
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMHT10H032LFJ-13
No. Parte Newark12AJ7100
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.400 |
| 10+ | $2.620 |
| 25+ | $2.540 |
| 50+ | $2.460 |
| 100+ | $2.290 |
| 250+ | $2.020 |
| 500+ | $1.760 |
| 1000+ | $1.660 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMHT10H032LFJ-13
No. Parte Newark12AJ7100
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.033ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Disipación de Potencia900mW
Diseño de TransistorDFN5045
No. de Pines12Pines
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.033ohm
Disipación de Potencia
900mW
No. de Pines
12Pines
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
DFN5045
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto