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DMN10H220L-7
MOSFET, CANAL N, 100V, 1.4A, SOT-23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H220L-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3756
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3755RL
Cinta adhesiva07AH3755
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.549 | $0.55 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.55 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.549 |
| 50+ | $0.350 |
| 100+ | $0.232 |
| 250+ | $0.207 |
| 500+ | $0.181 |
| 1000+ | $0.164 |
| 2500+ | $0.161 |
| 5000+ | $0.158 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.144 |
| 9000+ | $0.128 |
| 15000+ | $0.122 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN10H220L-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3756
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3755RL
Cinta adhesiva07AH3755
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)0.22ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.22ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd1.3W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia1.3W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
DMN10H220L-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications and load switches.
- Low on resistance, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 100V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±16V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 1.6A at TA = +25°C, VGS = 10V
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 8A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.3W at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 0.6A at TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.22ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.22ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN10H220L-7
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto