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DMN2300UFB4-7B
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 1.3 A, 0.175 ohm, X2-DFN1006, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2300UFB4-7BCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4767
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6574
Cinta adhesiva82Y6574
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $8.280 | $41.40 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $41.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $8.280 |
| 10+ | $5.200 |
| 25+ | $4.600 |
| 50+ | $4.040 |
| 100+ | $3.440 |
| 250+ | $3.060 |
| 500+ | $2.660 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10000+ | $0.072 |
| 20000+ | $0.069 |
| 40000+ | $0.066 |
| 60000+ | $0.062 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2300UFB4-7BCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4767
Re-reeling (Rollos a medida)82Y6574
Cinta adhesiva82Y6574
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.175ohm
Diseño de TransistorX2-DFN1006
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X2-DFN1006
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.175ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMN2300UFB4-7B
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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