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DMN2501UFB4-7
MOSFET, CANAL N, 20V, 1A, X2-DFN1006
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark28AK8522
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.492 |
| 10+ | $0.303 |
| 25+ | $0.265 |
| 50+ | $0.228 |
| 100+ | $0.191 |
| 250+ | $0.168 |
| 500+ | $0.144 |
| 1000+ | $0.129 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2501UFB4-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8522
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17ohm
Diseño de TransistorX2-DFN1006
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente760mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia500mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
X2-DFN1006
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
760mV
Disipación de Potencia
500mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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