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DMN2990UDJ-7
MOSFET, DOBLE, CANAL N, 20V, 0.45A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2990UDJ-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8525RL
Cinta adhesiva28AK8525
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.729 | $0.73 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.73 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.729 |
| 50+ | $0.349 |
| 100+ | $0.312 |
| 250+ | $0.305 |
| 500+ | $0.299 |
| 1000+ | $0.293 |
| 2500+ | $0.286 |
| 5000+ | $0.281 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN2990UDJ-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)28AK8525RL
Cinta adhesiva28AK8525
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N450mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P450mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.99ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-963
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N350mW
Disipación de Potencia de Canal P350mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
450mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
350mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
450mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.99ohm
Diseño de Transistor
SOT-963
Disipación de Potencia de Canal N
350mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto