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DMN3020UTS-13
MOSFET, CANAL N, 30V, 15A, TSSOP
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8541
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.929 |
| 10+ | $0.511 |
| 25+ | $0.458 |
| 50+ | $0.404 |
| 100+ | $0.351 |
| 250+ | $0.319 |
| 500+ | $0.287 |
| 1000+ | $0.258 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN3020UTS-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8541
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id15A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.015ohm
Diseño de TransistorTSSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia850mW
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TSSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
15A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.015ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
850mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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