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DMN62D0U-13
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 380 mA, 2 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN62D0U-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4789
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3790RL
Cinta adhesiva07AH3790
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.303 | $1.52 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.52 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.303 |
| 50+ | $0.190 |
| 100+ | $0.123 |
| 250+ | $0.108 |
| 500+ | $0.093 |
| 1000+ | $0.084 |
| 2500+ | $0.076 |
| 5000+ | $0.067 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 10000+ | $0.048 |
| 20000+ | $0.046 |
| 40000+ | $0.043 |
| 60000+ | $0.041 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMN62D0U-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4789
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3790RL
Cinta adhesiva07AH3790
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id380mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2ohm
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd380mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia380mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
DMN62D0U-13 is a N-channel enhancement mode MOSFET. This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications. Typical applications include motor controls, power-management functions, and backlighting.
- Low on-resistance, low input capacitance, ESD protected up to 1kV
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±20V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 380mA at TA = +25°C, VGS = 4.5V, steady state
- Pulsed drain current (10µs pulse, duty cycle = 1%) is 1.2A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 380mW at TA = +25°C
- Maximum continuous body diode forward current is 0.4A at TA = +25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
380mA
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
380mW
Disipación de Potencia
380mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DMN62D0U-13
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto