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DMP1011UCB9-7
MOSFET, CANAL P, 8V, 10A, U-WLB1515
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark28AK8673
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.420 |
| 10+ | $0.842 |
| 25+ | $0.759 |
| 50+ | $0.679 |
| 100+ | $0.598 |
| 250+ | $0.532 |
| 500+ | $0.466 |
| 1000+ | $0.422 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1011UCB9-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante26 semanas
No. Parte Newark28AK8673
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorU-WLB1515
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia890mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines9Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8200µohm
Diseño de Transistor
U-WLB1515
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
890mW
No. de Pines
9Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto