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DMP1045U
MOSFET POT, CANAL P, 12V, 5.2A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1045UCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark65T8227
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| 1000+ | $0.095 |
| 2500+ | $0.082 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP1045UCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark65T8227
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds12V
Intensidad Drenador Continua Id5.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.026ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd800mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente550mV
Disipación de Potencia800mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El DMP1045U de Diode Inc es un MOSFET de modo de mejora de canal P de montaje en superficie en paquete SOT-23. Este dispositivo presenta baja resistencia, baja capacitancia de entrada, velocidad de conmutación rápida y baja fuga de entrada/salida, por lo que es ideal para aplicaciones de administración de energía de alta eficiencia.
- Calificación de grado automotriz AEC-Q101
- Reconocido por UL
- Voltaje drenaje-fuente (Vds) de -12V
- Voltaje de compuerta a fuente (Vgs) de ± 8V
- Corriente de drenaje continua (Id) de 4.3A a Vgs -2.5V
- Disipación de potencia (Pd) de 1.3W
- Rango de temperatura de operación de -55°C a 150°C
- Baja resistencia encendido de 45mohm a Vgs -1.8V
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.026ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
800mW
Disipación de Potencia
800mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
12V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
550mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza DMP1045U
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto