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DMP3056L-7
MOSFET, CANAL P, -30V, -4.3A, SOT23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3056L-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3805
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3804RL
Cinta adhesiva07AH3804
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.679 | $0.68 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.68 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.679 |
| 50+ | $0.319 |
| 100+ | $0.283 |
| 250+ | $0.271 |
| 500+ | $0.260 |
| 1000+ | $0.247 |
| 2500+ | $0.235 |
| 5000+ | $0.194 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.172 |
| 9000+ | $0.152 |
| 15000+ | $0.148 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3056L-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo07AH3805
Re-reeling (Rollos a medida)07AH3804RL
Cinta adhesiva07AH3804
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4.3A
Resistencia de Activación Rds(on)0.035ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd1.38W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1V
Disipación de Potencia1.38W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
DMP3056L-7 is a P-channel enhancement mode MOSFET. This new generation MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage, low input capacitance
- Fast switching speed, low input/output leakage
- Drain-source voltage is -30V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±25V at TA = +25°C
- Drain current is -4.3A at TA = +25°C, VGS = -10V, steady state
- Pulsed drain current is -20A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 1.38W at TA = +25°C
- Static drain-source on-resistance is 50mohm max at VGS = -10V, ID = -6.0A, TA = +25°C
- SOT23 (standard) package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.035ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
1.38W
Disipación de Potencia
1.38W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto