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DMP3105LVT-7
MOSFET, CANAL P, 30V, 3.1A, TSOT-26
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8763
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.546 |
| 10+ | $0.334 |
| 25+ | $0.294 |
| 50+ | $0.253 |
| 100+ | $0.212 |
| 250+ | $0.186 |
| 500+ | $0.159 |
| 1000+ | $0.142 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMP3105LVT-7Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8763
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id3.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.065ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOT-26
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900mV
Disipación de Potencia1.15W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.065ohm
Diseño de Transistor
TSOT-26
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.15W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto