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DMPH6050SSD-13
MOSFET, AEC-Q101, DOBLE P, -60V, SOIC-8
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMPH6050SSD-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15AC8189RL
Cinta adhesiva15AC8189
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.690 | $1.69 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.69 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.690 |
| 50+ | $0.884 |
| 100+ | $0.806 |
| 250+ | $0.790 |
| 500+ | $0.774 |
| 1000+ | $0.757 |
| 2500+ | $0.741 |
| 5000+ | $0.725 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMPH6050SSD-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)15AC8189RL
Cinta adhesiva15AC8189
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.2A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2W
Disipación de Potencia de Canal P2W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.2A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.2A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto