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DMT10H003SPSW-13
MOSFET CANAL N, 100V, 152A, POWERDI 5060
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT10H003SPSW-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark36AJ8888
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT10H003SPSW-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark36AJ8888
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id152A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2200µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPowerDI 5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.6V
Disipación de Potencia2.2W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2200µohm
Diseño de Transistor
PowerDI 5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.2W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
152A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto