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DMT3006LFDF-7
MOSFET, CANAL N, 30V, 14.1A, UDFN2020
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FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark81AH9856
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.980 |
| 10+ | $0.635 |
| 25+ | $0.570 |
| 50+ | $0.503 |
| 100+ | $0.437 |
| 250+ | $0.395 |
| 500+ | $0.352 |
| 1000+ | $0.325 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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No. Parte Newark81AH9856
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id14.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorUDFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia800mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5800µohm
Diseño de Transistor
UDFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
800mW
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
14.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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