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DMT6005LSS-13
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 13.5 A, 5000 µohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark28AK8877
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.440 |
| 10+ | $1.560 |
| 25+ | $1.390 |
| 50+ | $1.220 |
| 100+ | $1.060 |
| 250+ | $0.948 |
| 500+ | $0.875 |
| 1000+ | $0.837 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMT6005LSS-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark28AK8877
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id13.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5000
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia1.3
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5000
Diseño de Transistor
SOIC
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
13.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto