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DMTH31M7LPSQ-13
MOSFET, CANAL N, 30V, 100A, POWERDI5060
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark13AJ5645
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante43 semanas
No. Parte Newark13AJ5645
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Diseño de TransistorPowerDI5060
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia113W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
PowerDI5060
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
113W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto