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DMTH6010SK3-13
MOSFET, CANAL N, 60V, 70A, TO-252
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FabricanteDIODES INC.
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Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8843
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.410 |
| 10+ | $1.540 |
| 25+ | $1.370 |
| 50+ | $1.200 |
| 100+ | $1.040 |
| 250+ | $0.933 |
| 500+ | $0.826 |
| 1000+ | $0.757 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteDMTH6010SK3-13Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark28AK8843
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5400µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia3.1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5400µohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto