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MMBF170-7-F
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 800 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteMMBF170-7-FCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51R6804
Cinta adhesiva51R6804
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.372 | $0.37 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.37 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.372 |
| 10+ | $0.218 |
| 25+ | $0.195 |
| 50+ | $0.171 |
| 100+ | $0.149 |
| 250+ | $0.128 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteMMBF170-7-FCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)51R6804
Cinta adhesiva51R6804
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id800
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd300mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Disipación de Potencia300
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El MMBF170-7-F es un MOSFET de modo de mejora de canal N con caja de plástico moldeada y estaño mate soldable recocido sobre terminales de aleación de 42 terminales cable según el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Voltaje de umbral de compuerta bajo
- Baja capacitancia de entrada
- Alta velocidad de conmutación
- Fuga baja de entrada/salida
- Producto verde, libre de halógenos
- Calificado según los estándares AEC-Q101 por su alta confiabilidad
- Sensibilidad a la humedad nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
300mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBF170-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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