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MMBT2222A-7-F
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 310 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteMMBT2222A-7-F
No. Parte Newark51R6809
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor40V
Corriente de Colector Continua600mA
Disipación de Potencia310
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición300MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.100hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MMBT2222A-7-F es un transistor de pequeña señal NPN de 40V con terminales estañados mate. Los terminales pueden soldarse según MIL-STD-202, método 208. La caja está hecha de plástico moldeado, compuesto de moldeo "verde" (UL94V-0). El transistor es ideal para amplificación y conmutación de baja - potencia.
- Construcción de matrices planas epitaxiales.
- Voltaje de saturación bajo VCE(sat) <lt/> 300mV a 150mA
- Tipo PNP complementario: MMBT2907A
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Corriente de Colector Continua
600mA
Diseño de Transistor
SOT-23
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
100hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40V
Disipación de Potencia
310
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
300MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza MMBT2222A-7-F
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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