Imprimir página
VN10LF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 150 mA, 5 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteVN10LFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K2374
Cinta adhesiva98K2374
Su número de pieza
4,201 En Stock
¿Necesita más?
1335 Entrega en EE. UU. en 2-4 días hábiles. Haga su pedido antes de las 12:30 p. m. EST (hora estandar del este de EE. UU.). Envío estándar.
2866 Stock disponible en el Reino Unido para entrega en 4-6 días laborables.
Pedido antes de las 6 p.m.
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.945 | $0.94 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.94 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.945 |
| 10+ | $0.789 |
| 25+ | $0.707 |
| 50+ | $0.640 |
| 100+ | $0.561 |
| 250+ | $0.505 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteVN10LFCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)98K2374
Cinta adhesiva98K2374
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id150mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd330mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia330mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
VN10LF is a N-channel enhancement mode vertical DMOS FET.
- Drain-source voltage is 60V
- Continuous drain current at Tamb=25°C is 150mA
- Pulsed drain current is 3A
- Gate source voltage is ±20V
- Power dissipation at Tamb=25°C is 330mW
- Static drain source on state resistance is 5ohm max at VGS=10V, ID=500mA, Tamb=25°C
- Zero gate voltage drain current is 10µA max at VDS=60 V, VGS=0V, Tamb=25°C
- Turn-on/off time is 10ns maximum at VDD ≈15V, ID=600mA, Tamb=25°C
- SOT23 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150mA
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
330mW
Disipación de Potencia
330mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto