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ZTX857
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 300 V, 3 A, 1.2 W, E-Line, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZTX857
No. Parte Newark98K4093
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor300V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo300V
Corriente del Colector Continua3A
Disipación de Potencia1.2W
Disipación de Potencia Pd1.2W
Corriente de Colector DC3A
Diseño de TransistorE-Line
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia de Corriente DC hFE200hFE
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición80MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.200hFE
Temperatura de Trabajo Máx.200°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZTX857 es un transistor plano de alta potencia de media potencia de silicio NPN E-Line de 300V con un voltaje de saturación muy bajo.
- Alto voltaje
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
300V
Disipación de Potencia
1.2W
Corriente de Colector DC
3A
Montaje de Transistor
Through Hole
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
200hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
300V
Corriente del Colector Continua
3A
Disipación de Potencia Pd
1.2W
Diseño de Transistor
E-Line
Ganancia de Corriente DC hFE
200hFE
Frecuencia de Transición
80MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
200°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
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