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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZVN3310A
No. Parte Newark98K4102
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia de Activación Rds(on)10ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10ohm
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd625mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4V
Disipación de Potencia625mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El ZVN3310A es un DMOS FET vertical con modo de mejora de canal N de línea E de 100V con resistencia de 10O y disipación de potencia de 625mW.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
10ohm
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
625mW
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza ZVN3310A
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto