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ZXMHC10A07N8TC
MOSFET, DOBLE, CANAL N/P, 100V, 0.8A
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC10A07N8TCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)29AK9150RL
Cinta adhesiva29AK9150
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967 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.190 | $2.19 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.19 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.190 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $1.020 |
| 250+ | $0.954 |
| 500+ | $0.886 |
| 1000+ | $0.830 |
| 2500+ | $0.745 |
| 5000+ | $0.743 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMHC10A07N8TCCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)29AK9150RL
Cinta adhesiva29AK9150
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary Dual N and Dual P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N100V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N800mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P800mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.7ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N870mW
Disipación de Potencia de Canal P870mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary Dual N and Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
100V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
100V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
800mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
870mW
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
800mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.7ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
870mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto