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ZXMN2B14FHTA
MOSFET, CANAL N, 20V, 3.5A, SOT-23
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN2B14FHTACopiar
No. Parte Newark29AK9165
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.350 |
| 10+ | $0.820 |
| 25+ | $0.730 |
| 50+ | $0.641 |
| 100+ | $0.551 |
| 250+ | $0.497 |
| 500+ | $0.441 |
| 1000+ | $0.404 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMN2B14FHTACopiar
No. Parte Newark29AK9165
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id3.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia1W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto