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ZXMP4A16K
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 9.9 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP4A16KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13M5703RL
Cinta adhesiva13M5703
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.110 | $2.11 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.11 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.110 |
| 50+ | $1.840 |
| 100+ | $1.690 |
| 250+ | $1.550 |
| 500+ | $1.340 |
| 1000+ | $1.210 |
| 2500+ | $1.080 |
| 5000+ | $1.050 |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
No. Parte FabricanteZXMP4A16KCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13M5703RL
Cinta adhesiva13M5703
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id9.9
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.06ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd9.5W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia9.5
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El ZXMP4A16K es un MOSFET de modo de mejora de canal P de trinchera de nueva generación de Zetex que utiliza una estructura única que combina los beneficios de una baja resistencia a la conexión con una velocidad de conmutación rápida. Esto lo hace ideal para aplicaciones de alta eficiencia y bajo voltaje.
- Alta velocidad de conmutación
- Bajo umbral
- Accionamiento de puerta baja
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
9.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.9
Resistencia de Activación Rds(on)
0.06ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
9.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto