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DIF170SIC049
SIC MOSFET, N-CH, 1.7KV, 67A, TO-247
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIF170SIC049Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark29AM3972
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448 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $30.510 |
| 10+ | $27.400 |
| 25+ | $24.300 |
| 50+ | $21.190 |
| 100+ | $20.170 |
| 250+ | $19.150 |
| 500+ | $18.770 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDIF170SIC049Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark29AM3972
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id67A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia357W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
67A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
357W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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