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DIW065SIC080
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 36 A, 650 V, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.500 |
| 10+ | $12.200 |
| 25+ | $11.900 |
| 50+ | $8.060 |
| 100+ | $7.570 |
| 250+ | $7.080 |
| 500+ | $6.940 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark26AM0857
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id36
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia175
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
36
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
175
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto