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STGIB15CH60TS-L
Módulo IGBT, 15 A, 600 V, 75 W, 150 °C, SDIP2B
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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGIB15CH60TS-LCopiar
No. Parte Newark25AJ2835
Rango de ProductoSLIMM IPM-2nd Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $17.660 |
| 10+ | $13.040 |
| 26+ | $12.670 |
| 52+ | $12.190 |
| 104+ | $11.870 |
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGIB15CH60TS-LCopiar
No. Parte Newark25AJ2835
Rango de ProductoSLIMM IPM-2nd Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBT-
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua15
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor600
Disipación de Potencia75
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorSDIP2B
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorThrough Hole
Rango de ProductoSLIMM IPM-2nd Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
-
Corriente del Colector Continua
15
Voltaje de Saturación Colector Emisor
600
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Solder
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
75
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Diseño de Transistor
SDIP2B
Voltaje Máx. Colector a Emisor
-
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
SLIMM IPM-2nd Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto