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FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGSH50M120DCopiar
No. Parte Newark22AM0480
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $22.600 |
| 10+ | $16.610 |
| 25+ | $15.780 |
| 50+ | $15.090 |
| 100+ | $14.440 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteSTMICROELECTRONICS
No. Parte FabricanteSTGSH50M120DCopiar
No. Parte Newark22AM0480
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua69A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Disipación de Potencia536W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorACEPACK SMIT
Terminación del IGBTSolder
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTTrench Field Stop
Montaje de TransistorSurface Mount
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Solder
Tecnología IGBT
Trench Field Stop
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
69A
Disipación de Potencia
536W
Diseño de Transistor
ACEPACK SMIT
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Surface Mount
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
