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2N7635-GA

Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, TO-257, 3 Pines, 250 °C

GENESIC SEMICONDUCTOR 2N7635-GA
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No. Parte Fabricante:
2N7635-GA
No. Parte Newark
46W5839
Hoja de datos técnicos:
2N7635-GA   Datasheet
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Resumen del producto

The 2N7635-GA is a Silicon Carbide JFET housed in isolated base-plate hermetic package. It offers 225°C maximum operating temperature, electrically isolated base plate, gate oxide free SiC switch and exceptional safe operating area. It designed for use with down hole oil drilling, geothermal instrumentation, solenoid actuators, general purpose high-temperature switching, amplifiers, solar inverters, switched-mode power supply and power factor correction applications.
  • Excellent gain linearity
  • Compatible with 5V TTL gate drive
  • Temperature Independent switching performance
  • Low output capacitance
  • Positive temperature coefficient of RDS, ON
  • Suitable for connecting an anti-parallel diode
  • Compatible with Si MOSFET/IGBT gate drive ICs
  • >20μs Short-circuit withstand capability
  • Lowest-in-class conduction losses
  • High circuit efficiency
  • Minimal input signal distortion
  • High amplifier bandwidth

Aplicaciones

Industrial, Administración de Potencia

Información del producto

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:
TO-257

:
JFET

:
3 Pines

:
250°C




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