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2N7635-GA
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, TO-257, 3 Pines, 250 °C
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 19 semana(s)
Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte Fabricante2N7635-GA
No. Parte Newark46W5839
Hoja de datos técnicos
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Voltaje de Ruptura Vbr-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Diseño de TransistorTO-257
Tipo de TransistorJFET
Núm. de Pines3 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.250°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
The 2N7635-GA is a Silicon Carbide JFET housed in isolated base-plate hermetic package. It offers 225°C maximum operating temperature, electrically isolated base plate, gate oxide free SiC switch and exceptional safe operating area. It designed for use with down hole oil drilling, geothermal instrumentation, solenoid actuators, general purpose high-temperature switching, amplifiers, solar inverters, switched-mode power supply and power factor correction applications.
- Excellent gain linearity
- Compatible with 5V TTL gate drive
- Temperature Independent switching performance
- Low output capacitance
- Positive temperature coefficient of RDS, ON
- Suitable for connecting an anti-parallel diode
- Compatible with Si MOSFET/IGBT gate drive ICs
- >20μs Short-circuit withstand capability
- Lowest-in-class conduction losses
- High circuit efficiency
- Minimal input signal distortion
- High amplifier bandwidth
Aplicaciones
Industrial, Administración de Potencia
Especificaciones técnicas
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
-
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
250°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Ruptura Vbr
-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
-
Diseño de Transistor
TO-257
Núm. de Pines
3 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A001
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto