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G3R20MT17N
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 100 A, 1.7 kV, 0.02 ohm, SOT-227
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R20MT17N
No. Parte Newark89AH0983
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $143.350 |
| 5+ | $133.790 |
| 10+ | $133.790 |
| 25+ | $133.790 |
| 50+ | $131.990 |
| 100+ | $126.570 |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R20MT17N
No. Parte Newark89AH0983
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Intensidad Drenador Continua Id100A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Diseño de TransistorSOT-227
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Núm. de Contactos4Pines
Disipación de Potencia Pd523W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Disipación de Potencia523W
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Núm. de Contactos
4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
G3R Series
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Diseño de Transistor
SOT-227
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia Pd
523W
Disipación de Potencia
523W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto