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G3R45MT17D
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
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FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R45MT17D
No. Parte Newark89AH0991
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $34.030 |
| 5+ | $31.600 |
| 10+ | $31.600 |
| 25+ | $31.600 |
| 50+ | $29.490 |
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteG3R45MT17D
No. Parte Newark89AH0991
Rango de ProductoG3R Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id61
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Disipación de Potencia Pd438W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7
Disipación de Potencia438
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoG3R Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
438W
Disipación de Potencia
438
Rango de Producto
G3R Series
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
61
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto