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GA08JT17-247
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, TO-247AB, 3 Pines, 175 °C
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA08JT17-247
No. Parte Newark46W2773
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero10
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0.1µA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Diseño de TransistorTO-247AB
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.175
Tipo de CanalCanal N
No. de Pines3 Pines
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
10
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0.1µA
Diseño de Transistor
TO-247AB
Temperatura de Trabajo Máx.
175
No. de Pines
3 Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto