2ED2109S06FXUMA1

El 2ED2109S06FXUMA1 es un controlador de puerta de medio puente de 650V con diodo bootstrap integrado. Es un controlador de MOSFET e IGBT de potencia de alta tensión y alta velocidad con canales de salida referenciados de lado alto y bajo independientes. El dispositivo no presenta estructuras de tiristores parásitos, por lo que no se produce ningún efecto de enganche parásito en ninguna condición de temperatura y voltaje. La entrada lógica es compatible con la salida CMOS o LSTTL estándar, hasta una lógica de 3.3V. Los controladores de salida tienen una etapa de buffer de corriente de alto pulso diseñada para una conducción cruzada mínima del conductor. El canal flotante se puede utilizar para controlar un MOSFET de potencia de canal N, un MOSFET de SiC o un IGBT en configuración de lado alto, que funciona hasta 650V. DSO - Paquete 8, rango de temperatura ambiente de -40 a 125 °C

• Calificado para aplicaciones industriales de acuerdo con las pruebas relevantes de JEDEC47 / 20/22
• Tecnología única de silicio de película delgada sobre aislante, bloqueo independiente por subtensión para ambos canales
• Inmunidad a transitorios VS negativos de 100V, canal flotante diseñado para operación bootstrap
• Voltajes operativos (nodo VS): hasta +650V, tensión de arranque máxima (nodo VB): + 675V
• Io+pk / Io-pk (típ.): +0.29A / -0.7A, lógica operativa hasta -11V en el pin VS
• Rango de voltaje de alimentación de lado bajo: de 10V a 20V, tiempo muerto interno de 540ns, pines COM conectados a tierra
• Entrada lógica SD activa en bajo, diodo de arranque ultrarrápido integrado de baja resistencia
• Retardo de propagación de encendido: 740ns típico (VIN=0V o 5V, VS=0 V, TA=25 °C)
• Retardo de propagación de apagado: 200ns típico (VIN=0V o 5V, VS=0V, TA=25 °C)
• DSO - Encapsulado 8, rango de temperatura ambiente de -40 a 125 °C