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2EP110RXTMA1
GATE DRIV, IGBT, SICMOSFET, 2CH, TSSOP-8 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.100 |
| 10+ | $1.650 |
| 25+ | $1.530 |
| 50+ | $1.470 |
| 100+ | $1.390 |
| 250+ | $1.330 |
| 500+ | $1.300 |
| 1000+ | $1.230 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte Fabricante2EP110RXTMA1
No. Parte Newark18AM3050
No. de Canales2Canales
Tipo de Controlador de CompuertaIsolated
Configuración del ControladorFull Bridge
Tipo de Interruptor de PotenciaGaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
No. de Pines8Pines
Estuche / Paquete CITSSOP
IC, MontajeSurface Mount
Tipo de EntradaLogic
Corriente Fuente-
Corriente Sumidero10mA
Tensión de Alimentación Mín.4.5V
Tensión de Alimentación Máx.20V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.125°C
Retardo de Entrada280ns
Retardo de Salida280ns
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
No. de Canales
2Canales
Configuración del Controlador
Full Bridge
No. de Pines
8Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Corriente Fuente
-
Tensión de Alimentación Mín.
4.5V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Retardo de Entrada
280ns
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Controlador de Compuerta
Isolated
Tipo de Interruptor de Potencia
GaN HEMT, IGBT, SiC MOSFET
Estuche / Paquete CI
TSSOP
Tipo de Entrada
Logic
Corriente Sumidero
10mA
Tensión de Alimentación Máx.
20V
Temperatura de Trabajo Máx.
125°C
Retardo de Salida
280ns
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto