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AIMW120R080M1XKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMW120R080M1XKSA1Copiar
No. Parte Newark52AJ4420
Rango de ProductoCoolSiC Trench
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.200 |
| 10+ | $15.830 |
| 25+ | $15.830 |
| 50+ | $15.830 |
| 100+ | $15.820 |
| 480+ | $15.820 |
| 720+ | $15.820 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMW120R080M1XKSA1Copiar
No. Parte Newark52AJ4420
Rango de ProductoCoolSiC Trench
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id33
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia150
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
CoolSiC Trench
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
150
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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