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AIMW120R080M1XKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 33 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMW120R080M1XKSA1
No. Parte Newark52AJ4420
Rango de ProductoCoolSiC Trench
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $19.390 |
| 10+ | $19.300 |
| 25+ | $14.700 |
| 50+ | $14.400 |
| 100+ | $14.090 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$19.39
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMW120R080M1XKSA1
No. Parte Newark52AJ4420
Rango de ProductoCoolSiC Trench
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id33A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5V
Disipación de Potencia150W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Trench
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
CoolSiC Trench
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15V
Disipación de Potencia
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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