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AUIRF7313QTR
MOSFET Dual, Doble Canal N, 30 V, 6.9 A, 0.029 ohm
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FabricanteINFINEON
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Tiempo de entrega estándar del fabricante98 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4157RL
Cinta adhesiva91Y4157
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.570 | $1.57 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.57 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.570 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7313QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante98 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4157RL
Cinta adhesiva91Y4157
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.4
Disipación de Potencia de Canal P2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.4W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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