Imprimir página
AUIRF7313QTR
MOSFET Dual, Doble Canal N, 30 V, 6.9 A, 0.029 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7313QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante100 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4157RL
Cinta adhesiva91Y4157
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
3,480 En Stock
8,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.920 | $2.92 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.920 |
| 50+ | $2.570 |
| 100+ | $2.310 |
| 250+ | $2.070 |
| 500+ | $1.800 |
| 1000+ | $1.550 |
| 2500+ | $1.410 |
| 5000+ | $1.340 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF7313QTRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante100 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)91Y4157RL
Cinta adhesiva91Y4157
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6.9
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6.9A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.029
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.4
Disipación de Potencia de Canal P2.4W
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6.9A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.4W
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6.9
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.029
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto