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AUIRFR5410TRL
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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207 En Stock
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $4.400 | $4.40 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.40 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.400 |
| 50+ | $2.880 |
| 100+ | $2.850 |
| 250+ | $2.830 |
| 500+ | $2.800 |
| 1000+ | $2.780 |
| 2500+ | $2.750 |
| 5000+ | $2.510 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRFR5410TRLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante41 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)34AC1339RL
Cinta adhesiva34AC1339
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id13
Resistencia de Activación Rds(on)0.205ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.205
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd66W
Disipación de Potencia66
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Alternativas para el número de pieza AUIRFR5410TRL
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
MOSFET de potencia HEXFET® de grado automotriz diseñado específicamente para aplicaciones automotrices.
- Tecnología planar avanzada
- MOSFET de canal P
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Clasificación dv/dot dinámica
- Velocidad de conmutación rápida y diseño de dispositivo reforzado
- Clasificado avalancha completa
- Avalancha repetitiva permitida hasta Taxa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.205ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
66W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
13
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.205
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
66
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto