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BFR182WH6327XTSA1
Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 250 mW, 35 mA, 70 hFE
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFR182WH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4393
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1764
Cinta adhesiva50Y1764
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.339 | $1.70 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.70 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.339 |
| 10+ | $0.235 |
| 25+ | $0.208 |
| 50+ | $0.193 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 9000+ | $0.133 |
| 18000+ | $0.131 |
| 36000+ | $0.128 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBFR182WH6327XTSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4393
Re-reeling (Rollos a medida)50Y1764
Cinta adhesiva50Y1764
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo12V
Voltaje Máx. Colector a Emisor12V
Frecuencia de Transición8GHz
Disipación de Potencia250mW
Disipación de Potencia Pd250mW
Corriente del Colector Continua35mA
Corriente de Colector DC35mA
Diseño de TransistorSOT-323
Ganancia de Corriente DC hFE70hFE
Encapsulado de Transistor RFSOT-323
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
Transistor RF de silicio NPN para amplificadores de banda ancha de alta ganancia y bajo ruido con corrientes de colector de 1mA a 20mA.
- fT= 8 GHz, NFmín = 0.9dB a 900 MHz
- Calificado según AEC Q101
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12V
Disipación de Potencia
250mW
Corriente del Colector Continua
35mA
Diseño de Transistor
SOT-323
Encapsulado de Transistor RF
SOT-323
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70hFE
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
12V
Frecuencia de Transición
8GHz
Disipación de Potencia Pd
250mW
Corriente de Colector DC
35mA
Ganancia de Corriente DC hFE
70hFE
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto