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BFR193L3E6327XTMA1
Transistor RF - Bipolar, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark47AK6456
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 25+ | $4.080 |
| 50+ | $3.800 |
| 100+ | $3.520 |
| 250+ | $3.260 |
| 500+ | $3.060 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark47AK6456
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor12
Frecuencia de Transición8
Disipación de Potencia580
Disipación de Potencia Pd0
Corriente del Colector Continua80
Corriente de Colector DC0
Diseño de TransistorTSLP-3-1
Encapsulado de Transistor RF0
No. de Pines3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
12
Disipación de Potencia
580
Corriente del Colector Continua
80
Diseño de Transistor
TSLP-3-1
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Frecuencia de Transición
8
Disipación de Potencia Pd
0
Corriente de Colector DC
0
Encapsulado de Transistor RF
0
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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